Autor Thema: Cebit: Fragen an Intel  (Gelesen 5654 mal)

Offline VladTepes

  • hat ne DualRadiWak├╝
  • ***
  • Beitrńge: 132
Re: Cebit: Fragen an Intel
« Antwort #20 am: 15. Februar 2008, 16:40:55 »
Greetings,

links, puh ...eher nicht...es gab mal news eben zu diesem thema (zum damals aktuellen apple). :no:
es gab auch mal news von irgendeiner anderen firma die auch genau das vorhatte...da wei├č ich aber leider gar nicht mehr wer das war.

ich hab halt excessiv berechnung von solchen v-gr├Ąben oder auch gr├Ąben mit senkrechten w├Ąnden vollzogen (vorlesung: mikromechanik,mikrooptik) und dort wurde eben auch die verwendung von solchen kan├Ąlen als k├╝hlungskan├Ąle erw├Ąhnt (da fielen mir dann wieder die alten news zu dem thema ein)
v-gr├Ąben und deren abarten sind sowieso die basis f├╝r die meisten sensoren (beschleunigung usw usf)

lab on chip ist mir auch durchaus bekannt.
an unserer fh gibst in zusammenarbeit mit der uni regensburg und dem biopark regensburg einige entwicklungen zu diesem gebiet.
@ML: "Hubraum ist nur durch eines zu ersetzen... -> mehr Hubraum" :-D

Offline Gargamel

  • hat ne Eismaschine
  • *****
  • Beitrńge: 395
Re: Cebit: Fragen an Intel
« Antwort #21 am: 15. Februar 2008, 18:09:04 »
Mit V-Gr├Ąben um Silizium zu strukturieren (?) kenne ich mich jetzt nicht so aus. Bei uns wurden im Rahmen von Halbleiterelektronik und Mikrosystemtechnik nur mal am Rande solche Themen wie Mikromechanik bzw. -fluidik behandelt. F├╝r diese im Vergleich zu den elektrischen Schaltungen relativ groben mechanischen Strukturen wurde dabei allerdings kein Silizium sondern Kunststoffe verwendet. Es ist aber auch schon ├╝ber 3 Jahre her, dass ich dazu was geh├Ârt habe, ist also alles nicht mehr so frisch im Ged├Ąchtnis.

Mich wunderte halt, dass ├╝berhaupt jemand auf die Idee kommt, Mikrokan├Ąle zur K├╝hlung zu verwenden. Schlie├člich haben diese afaik einen hohen Durchflusswiderstand, was den Durchsatz der n├Âtigen Mengen an K├╝hlmittel erschwert. Au├čerdem m├╝sste man solche Kan├Ąle auch irgendwie nach au├čen anschlie├čbar machen. Ich denke, wenn man wirklich eine "on Chip Wak├╝" bauen wollte, w├Ąre es einfacher und kosteng├╝nstiger, auf der R├╝ckseite des Dies mit mechanischen Mitteln vergleichsweise grobe Kan├Ąle vorzusehen. Aber egal. Ich bin jedenfalls gespannt auf die Antworten, falls ihr Intel zu diesem Thema befragen wollt.

Abgesehen von der Neugierde bzw. dem technischen Interesse wie man sowas umsetzten k├Ânnte, will ich aber nicht hoffen, dass on-Chip-WaK├╝s irgendwann notwendig werden. Ein Trend zu geringeren Verlustleistungen ist mir viel lieber.

Offline VladTepes

  • hat ne DualRadiWak├╝
  • ***
  • Beitrńge: 132
Re: Cebit: Fragen an Intel
« Antwort #22 am: 16. Februar 2008, 14:38:04 »
Greetings,

wenn kunststoff, dann wars wohl liga oder uv-liga verfahren mit anschlie├čender spritzgustechnik (billige massenproduktion)

http://www.dpma.de/veroeffentlichungen/jahresbericht98/ea/images/11-7.gif
das bild zeigt zwar nicht das was ich eigentlich zeigen wollte, aber was besseres hab ich nicht gefunden.
der obere teil ist ein eigener wafer. er wurde ge├Ątzt bis die gew├╝nschte tiefe erreicht wurde. durch die kristallorientierung (ich geh jetzt von 100Si aus) entstehen automatisch "schr├Ąge" flanken (111 fl├Ąchen unter 54,74grad [genauer: alpha=arccos(1/wurzel3)]zur oberfl├Ąche; das sind ├Ątzstopebenen) die wenn sie fertig ge├Ątzt w├╝rden, bei ausreichender dicke des wafers, eine spitze ergeben w├╝rde -> 3d dann einen v-graben.
man nehme einen 2 wafer mit dem man dasselbe macht (man ├Ątzt bis eine definierte "membran" ├╝brigbleibt; z.b. 5┬Ám dick)
diesen verbindet man nun mit dem 2 ├╝ber silicon fusion bonding.
es ensteht dazwischen ein definiertes volumen -> referenzvolumen mit spezifischen druck -> misst im verh├Ąltnis zum au├čen anliegenden druck
dazu muss nat. der untere teil weg (damit die membran kontakt zur (umgebung) hat)
die membrandurchbiegung steht dann im verh├Ąltnis zum druckunterschied (kann man messen - w├╝rde aber die ausf├╝hrung hier sprengen, was ich wohl sowieso schon gemacht habe ;) )

es g├Ąb beiweitem sch├Ânerer bilder (vorallem in unserem skript), aber die m├╝sst ich erst scannen (was mir eigenltich auch verboten ist ;) )

zum durchflusswiderstand: da gibst eben fl├╝ssigkeiten, mit denen das ansich kein problem ist. fl├╝ssiges natrium m├╝sste meiner meinung nach ganz gut gehen. leider ist das erst bei (ich wei├č es nicht genau) gr├Â├čer 120C fl├╝ssig -> als k├╝hlfl├╝ssigkeit eher nicht geeignet f├╝r Si-logik)
mir f├Ąllt leider die fl├╝ssigkeit die unser prog genannt hat nicht mehr ein. :|

und zum trend: im heim pc bereich hoffe ich auch, dass das nicht zum einsatz kommt (wobei man somit vielleicht an l├╝fterlose systeme kommen k├Ânnte).
aber es gibt sicher andere bereiche, in denen logik bausteine mehr abw├Ąrme produzieren, und da k├Ânnte man sowas in zukunft vielleicht brauchen (auch diese bereiche sind arbeitgeber, und somit f├╝r mich potentiell interessant ;) )

sorry an das thema, das ich jetzt hier bissl offtopic bin, aber da sprudelt das gelernte bissl aus mir raus ;)
aber nun btt  :D
« Letzte ─nderung: 20. Februar 2008, 00:15:57 von VladTepes »
@ML: "Hubraum ist nur durch eines zu ersetzen... -> mehr Hubraum" :-D

Offline nemon

  • Administrator
  • k├╝hlt mit Trockeneis
  • ******
  • Beitrńge: 1.628
  • Da bin ich wieder
Re: Cebit: Fragen an Intel
« Antwort #23 am: 19. Februar 2008, 23:58:54 »
frag mal bitte, ob die essential-mainboardserie fortgesetzt wird, oder das zwei einmalige mainboards sind